DMG4822SSD
1
r(t) @ D=0.5
0.1
0.01
r(t) @ D=0.3
r(t) @ D=0.1
r(t) @ D=0.05
r(t) @ D=0.02
r(t) @ D=0.01
r(t) @ D=0.005
r(t) @ D=0.7
r(t) @ D=0.9
Rthja(t)=r(t) * Rthja
Rthja=90 C/W
Duty Cycle, D=t1 / t2
r(t) @ D=Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
SO-8
Dim
A
A1
Min
-
0.10
Max
1.75
0.20
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
b
1.30
0.15
0.3
1.50
0.25
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
??
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
0 ? 8 ?
e
b
All Dimensions in mm
D
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
DMG4822SSD
Document number: DS35403 Rev. 2 - 2
Y
C2
C1
6 of 7
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMG4932LSD-13 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8
DMG5802LFX-7 MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
DMG6898LSD-13 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8
DMG6968U-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
DMG6968UDM-7 MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26
DMG7401SFG-7 MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333
DMG7408SFG-7 MOSF N CH 30V 7A 3333-8
相关代理商/技术参数
DMG4932LSD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG4932LSD-13 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG-4A-750 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXERS
DMG-4B-1700 制造商:MERRIMAC 制造商全称:MERRIMAC 功能描述:DOUBLE BALANCED MIXERS
DMG4N65CT 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 501V-650V TO220-3 TUBE 50PCS - Trays 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 650V 4A TO-220
DMG4N65CTI 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH 650V 4A ITO-220AB 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:N-CH MOSFET 650V 4A
DMG504010R 功能描述:两极晶体管 - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DMG563010R 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel